Способы защиты поверхностей деталей от цементации

По условиям эксплуатации часто цементовать нужно только часть детали; для предохранения отдельных мест деталей о- проникновения цементующего газа применяют различные способы. Наилучший результат дает электролитическое покрытие медью, заключающееся в электролизе раствора, содержащего медь. с анодом из меди; катодом служит металл, который подлежит покрытию. В результате прохождения через электролит постоям ного тока медь от анода переходит в раствор, а из раетвора па кч тод. Толщина защитного слоя меди в пределах 25 -70 мкм. С возрастанием толщины цементованного слоя увеличивают голщпнч медного покрытия. Слой должен быть без пузырей, плотным и не пористым Места, подлежащие цементации, предварительно защищают лаком, а затем производят покрытие.

Для получения плотного, беспористого слоя используют метод реверсивного покрытия. Деталь покрывают слоем меди толщиной до 15 мкм, затем слой толщиной около 5 мкм снимают и снова покрывают слоем толщиной 15 мкм. После цементации защитный слой меди удаляют с поверхности электролитическим способом.

Кроме гальванического покрытия медью можно применять специальную изоляционную обмазку, состоящую из 70% однохло-ристой меди и 30% свинцового сурика, которые замешивают в спиртовом канифольном лаке до сметанообразного состояния. На места деталей, не подлежащие цементации, тонким слоем (0,5— 1 мм) с помощью кисточки наносят обмазку. При нагреве одно-хлористая медь и свинцовый сурик восстанавливаются с образованием пленки медносвинцового сплава, не проницаемой для углерода. Можно применять также обмазку, состоящую из 50% талька, 25% белой глины и 25% воды. В смесь добавляют жидкое стекло и перемешивают до сметанообразного состояния.

Отверстия и внутренние полости детали можно забивать смесью кварцевого песка с окалиной (в соотношении 1 : 1) или смесью шамотного порошка и окалины (в соотношении 1:2). Смесь плотно набивают в отверстия, а концы забивают асбестовыми пробками. Местную защиту поверхностей от цементации можно обеспечить также припусками для снятия насыщенного слоя.